8000Mbps！长鑫国产欧交易所官网DDR5内存重磅发布 专家：中国技术与韩国差距消失

快科技11月25日消息，长鑫存重近日，国产国技国差长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上，磅发布专欧交易所官网正式发布最新的家中距消DDR5和LPDDR5X产品，挑战韩美先进存储大厂。术韩失

据长鑫介绍，长鑫存重最新DDR5系列最高速率达8000Mbps，国产国技国差最高颗粒容量24Gb，磅发布专均达到国际领先水平，家中距消并同步推出覆盖服务器、术韩失工作站及个人电脑全领域的长鑫存重七大模组产品。

此外，国产国技国差长鑫还展示了上个月已经发布的磅发布专欧交易所官网LPDDR5X产品。该系列针移动市场旗舰产品，家中距消最高速率 10667Mbps，术韩失最高颗粒容量 16Gb，并涵盖 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多种封装解决方案。

今年稍早时，市场曾出现由中国企业生产的少量DDR5内存，但这次是长鑫存储作为代表，首度正式展示实际产品。

半导体产业指出，长鑫存储展示内存性能值得关注，其DDR5最大速度8000Mbps，比上一代产品（6400 Mbps）提升25%，在技术路线上至少已追上韩国公司。 业界人士认为，长鑫存储的性能足以应用于搭载最先进CPU的服务器。

根据韩媒 Business Korea引述日经及研调机构Counterpoint Research的数据，长鑫存储第三季DRAM市占率达8%，排名第四。 在NAND部分，长江存储第三季度市占率为13%。

由于美国封锁EUV等关键设备出口中国，使得中国扩张脚步放缓，但与韩国在通用DRAM市场的技术差距约不到一年。

韩媒认为，随着2030年迎来3D DRAM时代，竞争关系可能又会出现变数。3D DRAM是将内存单元向上堆叠的产品，当3D DRAM时代来临时，对EUV光刻设备的需求将下降，这可能成为中国企业超车的机会。

首尔大学材料科学与工程系Hwang Cheol-seong教授表示，单看内存技术水平，韩国与中国的差距几乎已经消失。 当不需要EUV光刻设备的3D DRAM时代在五年后到来时，中国将进一步崛起。

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责任编辑：朝晖

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